摘要
本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池,包括一衬底,其下依次为GaN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层,半透明电流扩展层下的正电极和第一InGaN电池下的负电极;半透明电流扩展层和第三InGaN电池之间置有帽层,正、负电极通过金属凸点键合于蒸镀有反射层的载体上。本发明采用倒装结构三结太阳能电池以及InGaN材料生长过程之后的高掺杂层作帽层、金属凸点和载体,充分吸收了太阳光谱,外量子效率超过70%,提高了光电转换效率,延长了电池的使用寿命,加强了电池工作的稳定性,并可作为完整的电池直接应用。
主权项
一种倒装三结InGaN太阳能电池,包括一衬底,其下依次为GaN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层,蒸镀于半透明电流扩展层下的正电极,其特征在于:所述三结InGaN电池和隧道自上至下依次为第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池,第一InGaN电池下蒸镀有负电极;所述半透明电流扩展层和第三InGaN电池之间置有帽层,所述正电极和负电极通过金属凸点键合于蒸镀有反射层的载体上。
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