一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法

发布时间：2017年10月24日 分类：专利

摘要：一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法属于电子器件测试领域。半导体器件的浪涌电流是指在工作电源接通的瞬间，流过器件的峰值电流。由于器件自身或电路寄生电容或电路中容性负载的存在，该峰值电流的数值远远大于器件稳态工作状态下的输入电流，瞬态大电流会引起瞬态温升，严重情况下会导致半导体器件的损毁。本方法相较于传统的电学法，将工作电流和测试电流合二为一。通过对待测器件施加持续时间短，幅值递增变化的电压脉冲，建立专用的校温曲线数据库,利用样条插值法对数据库中的数据进行处理；然后，测量浪涌条件下待测器件两端的电压、电流数据；最后，与数据库中校温曲线数据进行对比，获得待测器件在浪涌电流条件下的结温值。

CN201610405943-一种测量浪涌电流条件下半导体器件结温方法.pdf