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一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法

发布时间:2017年12月15日 分类:专利

摘要:一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法,属于SERS衬底制备领域。本发明在单晶硅表面覆盖周期密排的微球阵列;采用激光扫描或辐照后去除表面残留的微球;然后浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有微结构阵列的单晶硅片,水溶液中,氢氧化钠的质量百分比为5%-10%,乙醇的质量百分比为8%-10%;利用磁控溅射在刻蚀后的单晶硅表面进行银薄膜沉积,沉积厚度为50-200nm。本发明能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的微结构阵列,通过对微结构阵列形貌尺寸特征及银膜厚度的控制,可以对SERS衬底的性能进行调控。同时,该方法重现性高,成本较低,所制备出的SERS衬底性能稳定,可重复利用。

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CN201510406413-一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法.pdf


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